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Momentive のコーティング石英ルツボは、 Momentive Performance Materialsと MEMC の共同開発による製品です。独自のコーティング方式は 10 年以上も単結晶インゴットの成長に使われており、お客様は製造コストを低減できます。コーテングルツボが製造コストを低減する理由は、結晶特性を損なわず、産出高の向上を実現する一方で、長時間の運転、充填量の増加、再充填が可能なためです。ルツボが頑強であればあるほど、エンジニアにとって新しいプロセスや製品の設計がさらに柔軟となります。コーティングが結晶やホットゾーンを汚染しないということも特記すべき点です。
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安全な操作手順
ルツボのコーティングには少量のバリウムが使用されているため、典型的な無菌室や、通常の実験室操作の使用が推奨されています。コーティングルツボを取り扱う際は手袋を使用してください。また、相互汚染を防ぐために、手袋は毎回、取り替えてください。
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無転位での単結晶収量を向上させる手法
米国特許番号 5,980,629
チョクラルスキー式で半導体原料の融液を入れるルツボを強化し、成長させる単結晶内の転位を抑制する方法。石英ガラスからなるルツボの本体は、底壁と側壁で構成されています。側壁は、底壁から上へと伸び、半導体原料の融液を溜める空洞を形作っています。側壁と底壁には、それぞれ内側表面と外側表面があります。最初の失透助触媒は、約 600°C 未満で側壁の内側表面に堆積します。 ルツボを 600°C を超える温度で熱すると、内側表面に不透明なシリカ層の大部分が第一の層として形成されます。ここではほとんど均一な分解作用が可能で、結晶が溶融した半導体原料から引き上げられる際に、結晶質石英の微粒子が溶融した半導体原料に放出されることを減少します。第二の失透助触媒は約 600°C 未満で側壁の外側に体積します。ルツボを 600°C を超える温度で熱すると、不透明なシリカの第二の層の大部分が外側の表面に形成され、これが石英ガラスの本体を強化します。
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向上された無転位操作に使う表面処理済みルツボ
米国特許番号 5,976,247
半導体材料を溶融し、結晶成長の工程の間は溶融した半導体材料を溜めておくルツボ。石英ガラスからなるルツボの本体は、底壁と側ﾇで構成されています。側壁は、底壁から上へと伸び、半導体原料の融液を溜める空洞を形成しています。側壁と底壁には、それぞれ内側表面と外側表面があります。第一の失透助触媒は側壁の内側表面に次のように形成されます。結晶成長工程で半導体原料がルツボ内で溶融される際、溶融された半導体原料と接触するルツボの内側表面に、大部分が不透明なシリカの層が第一の層として形成されます。第二の失透助触媒は側壁の外側に次のように形成されます。結晶成長工程で半導体原料がルツボ内で溶融される際、大部分が不透明なシリカの層が第二の層として形成されます。大部分が不透明な第一のシリカの層は、内側表面の均一な分解を助長し、それと共に、結晶が半導体原料の融液から引き上げられる際の結晶質石英の微粒子の半導体材料の融液への放出を大幅に減少します。大部分が不透明な第二のシリカの層は、石英ガラスでできた本体の強度を増しています。
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Momentive Performance Materials
